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DC/DC恒流News
HX3321B DC-DC降壓恒流LED驅(qū)動(dòng)IC
作者:  來(lái)源:本站  發(fā)表時(shí)間:2018-11-19 11:11:08   瀏覽:

產(chǎn)品概述內(nèi)置MOS開(kāi)關(guān)降壓恒流芯片

內(nèi)置MOS開(kāi)關(guān)降壓恒流芯片規(guī)格書

概述                                                            

HX3321是一款內(nèi)置100V功率MOS高效率高精度開(kāi)關(guān)降壓型大功率LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片。HX3321采用固定關(guān)斷時(shí)間的鋒值電流控制方式,關(guān)斷時(shí)間可以通過(guò)外部電容進(jìn)行調(diào)節(jié),工作頻率可以根據(jù)用戶要求而改變。HX3321通過(guò)調(diào)節(jié)外置的電流采樣電阻,能控制高亮度的LED燈的驅(qū)動(dòng)電流,使LED燈亮度達(dá)到預(yù)期恒定亮度。

HX3321DIM端加PWM信號(hào),可以進(jìn)行PWM調(diào)光,DIM端同時(shí)支持線性調(diào)光。

HX3321內(nèi)部還集成了VDD穩(wěn)壓管以及過(guò)溫保護(hù)電路燈,減少外圍元件并提高了系統(tǒng)的可靠性。并采

ESOP8封裝。底部散熱片內(nèi)置接SW腳。


特點(diǎn)                                                                 

內(nèi)置100V5A MOS

最大工作電流:2A

寬壓輸入范圍2.7-100v

高效率,可達(dá)93%

支持PWM和線性調(diào)光

最大工作頻率:1MHz

◆CS電壓:250mV

芯片供電欠電壓保護(hù):3.2V

關(guān)斷時(shí)間可調(diào)

智能過(guò)溫保護(hù)

內(nèi)置VDD穩(wěn)壓管

定購(gòu)信息

定購(gòu)代碼

外型

包裝(個(gè))

打印

HX3321B

ESOP8

3000/盤

HX3321BXXXX


管腳圖                                                          

腳位圖

序號(hào)

管腳

功能

 

ESOP8

1

GND

接地

2

NC

懸空

3

DIM

調(diào)光腳,支持PWM調(diào)光和線性調(diào)光;DIM接地則關(guān)斷輸出,DIM電壓高過(guò)3.0V則電流100%輸出

4

SW

開(kāi)關(guān)腳,接內(nèi)置MOS管漏極

5

CS

56腳短接,電感峰值電流檢測(cè)腳

6

CS

56腳短接,電感峰值電流檢測(cè)腳

7

TOFF

關(guān)斷時(shí)間設(shè)置

8

VDD

芯片電源

 

應(yīng)用領(lǐng)域                                                             

自行車,電動(dòng)車,摩托車燈

強(qiáng)光手電筒

◆LED射燈,臺(tái)燈

大功率LED照明

內(nèi)部框圖典型應(yīng)用

極限參數(shù)                                                          

如無(wú)特殊說(shuō)明,環(huán)境溫度為25℃

符號(hào)

描述

參考范圍

單位

VDD

VDD端最大電壓

5.5

V

VMAX

DIMTOFFCS腳電壓

-0.3∽VDD+0.3

V

VSW

SW腳的最大電壓

100

V

PESOP8

ESOP8封裝最大功耗

0.8

W

TA

工作溫度范圍

-20∽80

TSTG

存儲(chǔ)溫度

-40∽120

TSD

焊接溫度范圍(時(shí)間小于30秒)

240

TESD

靜電耐壓值(人體模型)

2000

V

注:極限參數(shù)超過(guò)上表中規(guī)定的工作范圍可能導(dǎo)至器件損壞。而工作在以上條件下可能會(huì)導(dǎo)致器件的可靠性。

電特性                                                               

如無(wú)特殊說(shuō)明,VDD=5.5VTA=25℃

參數(shù)

符號(hào)

測(cè)試條件

最小值

典型值

最大值

單位

電源電壓

VDD鉗位電壓

VDD

IVDD<10mA

 

5.5

 

V

欠壓保護(hù)電壓

VDD_UVLO

VDD上升

 

2.5

 

V

欠壓保護(hù)遲滯

VDD_HYS

 

 

0.5

 

V

電源電流

工作電流

IOP

FOP=200KHz

 

1.5

 

mA

待機(jī)輸入電流

IINQ

無(wú)負(fù)載,EN為低電平

 

200

 

uA

峰值電流采樣

VCS閾值

VCS_TH

 

245

255

265

mV

關(guān)斷時(shí)間

最小關(guān)斷時(shí)間

TOFF_MIN

TOFF腳無(wú)外接電容

 

650

 

ns

DIM 調(diào)光

 

 

 

 

 

 

線性調(diào)光范圍

VDIM

 

1.1

 

3.0

V

DIM關(guān)斷電壓

 

 

 

0.2

 

V

內(nèi)置MOS開(kāi)關(guān)

MOS管耐壓

VDS

 

100

 

 

V

MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻

RDSON

VGS=5V

 

150

 

m?

過(guò)溫保護(hù)

過(guò)溫調(diào)節(jié)

OTP_TH

 

 

140

 

 

功能描述                                                             

HX3321采用峰值電流檢測(cè)和固定關(guān)斷時(shí)間的控制方式。電路工作在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)斷兩咱狀態(tài)。參見(jiàn)首頁(yè)所示的典型應(yīng)用電路,當(dāng)MOS開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),輸入電壓VIN通過(guò)LED燈、電感L1MOS開(kāi)關(guān)管、電流檢測(cè)電阻RCS對(duì)電感充電,流過(guò)電感的電流隨充電時(shí)間逐漸增大,當(dāng)電流檢測(cè)電阻RCS上的電壓降達(dá)到電流檢測(cè)閾值電壓VCS_TH時(shí),控制電路關(guān)斷MOS開(kāi)關(guān)管。當(dāng)MOS開(kāi)關(guān)管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí),電感通過(guò)由LED燈、續(xù)流二極管以及電感自身組成的環(huán)路對(duì)電感儲(chǔ)能放電。MOS開(kāi)關(guān)管在關(guān)斷一個(gè)固定時(shí)間TOFF后,重新回到導(dǎo)通狀態(tài),并重復(fù)以上導(dǎo)通與關(guān)斷過(guò)程。

TOFF設(shè)置

      固定關(guān)斷時(shí)間可由連接到TOFF引腳端的電容COFF設(shè)定:

      TOFF=0.51*150K?*(COFF+8pF)+TD

其中TD=61ns,如果不接COFF,內(nèi)部關(guān)斷時(shí)間設(shè)定為650ns

輸出電流設(shè)置

LED輸出電流由電流采樣RCS以及TOFF等參數(shù)設(shè)定:

ILED=0.25/RCS - (VLED*TOFF)/2L1

其中VLEDLED的正向?qū)▔航担?/span>L1是電感值。

電感取值

為保證系統(tǒng)輸出恒流特性,電感電流應(yīng)該工作在連續(xù)模式,要求的最小電感電流取值為: L1>4VLED*TOFF*RCS

系統(tǒng)工作頻率

系統(tǒng)工作頻率FS由下式確定:

FS=VIN-VLED/VIN*TOFF

DIM調(diào)光腳

HX3321可通過(guò)DIM腳進(jìn)行調(diào)光,DIM腳支持PWM調(diào)光及線性調(diào)光。當(dāng)DIM腳接地,芯片關(guān)斷LED輸出;當(dāng)DIM腳電壓高過(guò)3.0VLED輸出100%電流。DIM腳線性調(diào)光范圍在1.1-3.0V。當(dāng)不需要調(diào)光功能時(shí),DIM腳應(yīng)接高電平,DIM腳不允許懸空。在采用線性調(diào)光時(shí),DIM腳對(duì)地應(yīng)該接一個(gè)小電容(例如10NF以上電容)

芯片布局考慮

電流檢測(cè)電阻RCS到芯片CS引腳以及GND引腳的連線需盡量粗而短,以減少連線寄生電阻對(duì)輸出電流精度的影響。

供電電阻選擇

HX3321通過(guò)供電電阻RVDD對(duì)芯片VDD供電:

RVDD=VIN-VDD/IVDD

 

其中VDD5.5VIVDD典型值取2mAVIN為輸入電壓。當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率設(shè)置的較高時(shí),芯片工作電流會(huì)增大,相應(yīng)地應(yīng)減小供電電阻取值。

芯片內(nèi)部接VDD腳的穩(wěn)壓管最大鉗位電流不超過(guò)10mA,應(yīng)注意RVDD的取值不能過(guò)小,以免流入的VDD電流超過(guò)允許值,否則需外接穩(wěn)壓管鉗位。

過(guò)溫保護(hù)

當(dāng)芯片溫度過(guò)高時(shí),系統(tǒng)會(huì)限制輸入電流峰值,典型情況下當(dāng)芯片內(nèi)部溫度超過(guò)140℃以上時(shí),過(guò)溫調(diào)節(jié)開(kāi)始起作用;隨溫度升高輸入峰值電流逐漸減小,從而限制輸入功率,增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。

PCB設(shè)計(jì)說(shuō)明

1、VDD電容必須靠近芯片的Pin1、Pin8腳(電容離芯片腳不遠(yuǎn)于1.5MM),電容的接地端必須同一面,并與GND最短距離,否則芯片會(huì)由于電容的濾波不好而造成不良。

2、GND(Pin1)腳到CS腳走線盡可能地粗、短,降低接地的寄生電阻。

3、IC底部焊盤不能與GND(pin1)相連,IC底部散熱焊盤覆銅面積越大越好,有利于IC的散熱。

4、測(cè)試時(shí)請(qǐng)帶上防靜電手套,除了防止靜電外,更重要是防止在上電測(cè)試過(guò)程中,人手直接碰觸PCB,造成某兩個(gè)節(jié)點(diǎn)短路,造成模塊工作異常引發(fā)失效或者漏電。

5、生產(chǎn)制程中的設(shè)備(如烙鐵、電源機(jī))外殼需要良好的接地,防止設(shè)備的交流漏電損壞芯片。


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